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零件图片（仅供参考）
NSM21156DW6T1G
规格参数
  • 制造商产品型号：NSM21156DW6T1G
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 描述：TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
  • 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
  • 零件状态：停产
  • 晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
  • 电压-集射极击穿（最大值）：50V，65V
  • 电阻器-基极(R1)：10 千欧
  • 电阻器-发射极(R2)：10 千欧
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：35 @ 5mA，10V / 220 @ 2mA，5V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA / 300mV @ 500μA，10mA
  • 电流-集电极截止（最大值）：500nA
  • 频率-跃迁：-
  • 功率-最大值：230mW
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • NSM21156DW6T1G，安森美（ON）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：NSM21156DW6T1G
  • 原始制造厂商：安森美（ONSemi）
  • 技术标准参数：TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
  • 产品应用分类：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
  • 点击此处查询NSM21156DW6T1G的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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