安森美半导体提供绝缘门双极晶体管(IGBT)，结型场效应晶体管(JFET)，N沟道、P沟道及互补型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及自保护MOSFET。...

安森美半导体提供可编程单结晶体管(PUT)、高压触发二极管(SIDAC)、硅控整流器(SCR)、晶闸管浪涌保护器件(TSPD)和三端双向可控硅开关元件(TRIAC)。...

安森美半导体提供整流器、肖特基二极管及整流器、小信号开关二极管、瞬态电压抑制器(TVS)、调谐二极管和齐纳二极管。...

安森美半导体提供宽广阵容的双极结晶体管(BJT)、达林顿晶体管、偏置电阻晶体管(BRT)、绝缘门双极晶体管(IGBT)、低饱和电压晶体管及通用晶体管。...

安森美打算扩大和加速GTAT的SiC开发，以向客户保证关键器件的供应，进一步商用化智能电源技术。...

新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模块，基于平面技术，适合18 V到20 V范围内的驱动电压，易于用负门极电压驱动。...

600 V SUPERFET V系列提供出色的开关特性和较低的门极噪声，从而降低电磁干扰（EMI）--这对服务器和 电信系统是个显著的好处。...