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NGD8201BNT4G 零件图片（仅供参考）

NGD8201BNT4G
ONSEMI 订单到达，马上发货

NGD8201BNT4G 规格参数

  • 制造商产品型号: NGD8201BNT4G
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 功能总体简述: IGBT 400V 20A 125W DPAK-3
  • 系列: -
  • IGBT 类型: -
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）: 430V
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 15A
  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm): 50A
  • 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 1.8V @ 4.5V，10A
  • 功率 - 最大值: 115W
  • 开关能量: -
  • 输入类型: 逻辑
  • 栅极电荷: -
  • 25°C 时 Td（开/关）值: -/4s
  • 测试条件: 300V，6.5A，1 千欧
  • 反向恢复时间（trr）: -
  • 产品封装: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 安装类型: 表面贴装
  • 供应商器件封装: DPAK
  • NGD8201BNT4G，ONSEMI（安森美，ON）产品一站式供应商。
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NGD8201BNT4G 基本参数：

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