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SSP1N60B 零件图片(仅供参考)

SSP1N60B
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SSP1N60B 规格参数

  • 型号:SSP1N60B
  • 品牌:Fairchild Semiconductor (Fairchild,仙童或飞兆半导体,已被ONSEMI安森美收购)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:N-CHANNEL POWER MOSFET
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):12 欧姆 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):7.7 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):215 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):34W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • SSP1N60B,ONSEMI(安森美,ON)产品一站式供应商。
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SSP1N60B 基本参数:

  • 电子零件型号:SSP1N60B
  • 原始制造厂商:ONSEMI(安森美半导体)
  • 技术标准参数:N-CHANNEL POWER MOSFET
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询SSP1N60B的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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