SBC847BPDXV6T1G（安森美，晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列，封装：SOT-563，SOT-666）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：SBC847BPDXV6T1G

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT-363

系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

零件状态：有源

晶体管类型：NPN，PNP

电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA

电压-集射极击穿（最大值）：45V

不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA

电流-集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）

不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：200 @ 2mA，5V

功率-最大值：357mW

频率-跃迁：100MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：SOT-563，SOT-666

SBC847BPDXV6T1G，安森美（ON）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：SBC847BPDXV6T1G

原始制造厂商：安森美（ONSemi）

技术标准参数：TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT-363

产品应用分类：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

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