NXH350N100H4Q2F2P1G-R 零件图片（仅供参考）
NXH350N100H4Q2F2P1G-R 规格参数
- 型号:NXH350N100H4Q2F2P1G-R
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:42-PIM/Q2PACK（93x47）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MOD 1000V 303A 592W 42-PIM
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 配置:三级反相器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1000 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:303 A
- 功率 - 最大值:592 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，375A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:1 mA
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):24.146 nF @ 20 V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:42-PIM/Q2PACK（93x47）
- NXH350N100H4Q2F2P1G-R，ONSEMI（安森美，ON）产品一站式供应商。
