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NXH010P120MNF1PTG 零件图片(仅供参考)

NXH010P120MNF1PTG
ONSEMI 订单到达,马上发货

NXH010P120MNF1PTG 规格参数

  • 型号:NXH010P120MNF1PTG
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 1200V 114A
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • 技术:碳化硅(SiC)
  • 配置:2 N 沟道(双)共源
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):114A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):14 毫欧 @ 100A,20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.3V @ 40mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):454nC @ 20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4707pF @ 800V
  • 功率 - 最大值:250W(Tj)
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:-
  • NXH010P120MNF1PTG,ONSEMI(安森美,ON)产品一站式供应商。
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NXH010P120MNF1PTG 基本参数:

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