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NVXK2KR80WDT 零件图片（仅供参考）

NVXK2KR80WDT
ONSEMI 订单到达，马上发货

NVXK2KR80WDT 规格参数

  • 型号:NVXK2KR80WDT
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:APM32
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:ELITESIC POWER MODULE FOR OBC, 8
  • 包装:散装
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）:1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:116 毫欧 @ 20A，20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4，3V @ 10mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 20 V
  • Vgs（最大值）:+25V，-15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1154 pF @ 800 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:82W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:APM32
  • 封装/外壳:32-PowerDIP 模块（1.311\\
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NVXK2KR80WDT 基本参数：

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