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规格参数
制造商产品型号:NVTFWS014P04M8LTAG制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)描述:MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:有源FET类型:P 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):40V25°C时电流-连续漏极(Id):11.3A(Ta),49A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):13.8 毫欧 @ 15A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.4V @ 420A不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):26.5nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1734pF @ 20VFET功能:-功率耗散(最大值):3.2W(Ta),61W(Tc)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:8-WDFN(3.3x3.3)NVTFWS014P04M8LTAG,安森美(ON)产品一站式供应商。