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NVMFS027N10MCLT1G 零件图片（仅供参考）

NVMFS027N10MCLT1G
ONSEMI 订单到达，马上发货

NVMFS027N10MCLT1G 规格参数

  • 型号:NVMFS027N10MCLT1G
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:PTNG 100V LL SO8FL
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.9A（Ta），28A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26 毫欧 @ 7A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 38A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:3.5W（Ta），46W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN，5 引线
  • NVMFS027N10MCLT1G，ONSEMI（安森美，ON）产品一站式供应商。
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NVMFS027N10MCLT1G 基本参数：

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