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规格参数
制造商产品型号:NVMFD6H840NLT1G制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)描述:T8 80V LL SO8FL DS系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:Automotive, AEC-Q101零件状态:有源FET类型:2 N-通道(双)FET功能:标准漏源电压(Vdss):80V25°C时电流-连续漏极(Id):14A(Ta),74A(Tc)不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6.9 毫欧 @ 20A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 96A不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):32nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2002pF @ 40V功率-最大值:-工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-PowerTDFNNVMFD6H840NLT1G,安森美(ON)产品一站式供应商。
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