NVDD5894NLT4G（安森美，晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：NVDD5894NLT4G

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：MOSFET 2N-CH 40V 14A DPAK

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：2 N 沟道（双）共漏

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：40V

25°C时电流-连续漏极(Id)：14A

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 50A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：41nC @ 10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2103pF @ 25V

功率-最大值：3.8W

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD

NVDD5894NLT4G，安森美（ON）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：NVDD5894NLT4G

原始制造厂商：安森美（ONSemi）

技术标准参数：MOSFET 2N-CH 40V 14A DPAK

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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