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零件图片（仅供参考）
NVD6828NLT4G
规格参数
  • ON安森美半导体完整型号：NVD6828NLT4G
  • 制造厂家名称：ON Semiconductor
  • 描述：MOSFET N-CH 90V 38A DPAK
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：90V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8.7A（Ta），41A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：61nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2900pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：3.8W
  • 安装类型：表面贴装
  • 产品封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商器件封装：DPAK-3
  • NVD6828NLT4G，安森美（ON）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：NVD6828NLT4G
  • 原始制造厂商：安森美（ONSemi）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 90V 38A DPAK
  • 产品应用分类：单端场效应管
  • 点击此处查询NVD6828NLT4G的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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