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零件图片（仅供参考）
NTTFD9D0N06HLTWG
规格参数
  • 制造商产品型号：NTTFD9D0N06HLTWG
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta），38A（Tc）
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 50A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：13.5nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：948pF @ 30V
  • 功率-最大值：1.7W（Ta），26W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：12-PowerWQFN
  • NTTFD9D0N06HLTWG，安森美（ON）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：NTTFD9D0N06HLTWG
  • 原始制造厂商：安森美（ONSemi）
  • 技术标准参数：MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询NTTFD9D0N06HLTWG的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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