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零件图片（仅供参考）
NTMFD5C650NLT1G
规格参数
  • 制造商产品型号：NTMFD5C650NLT1G
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：T6 60V LL S08FL DS
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：21A（Ta），111A（Tc）
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.2 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 98A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：37nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2546pF @ 25V
  • 功率-最大值：3.5W（Ta），125W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-PowerTDFN
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    基本参数：
  • 电子零件型号：NTMFD5C650NLT1G
  • 原始制造厂商：安森美（ONSemi）
  • 技术标准参数：T6 60V LL S08FL DS
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询NTMFD5C650NLT1G的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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