NTMFD016N06CT1G（安森美，晶体管 - FET，MOSFET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：NTMFD016N06CT1G

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：MOSFET N-CH 60V T6 8DFN

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：2 N-通道（双）

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：60V

25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta），32A（Tc）

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：16.3 毫欧 @ 5A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 25A

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6.9nC @ 10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：489pF @ 30V

功率-最大值：3.1W（Ta），36W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：8-PowerTDFN

NTMFD016N06CT1G，安森美（ON）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：NTMFD016N06CT1G

原始制造厂商：安森美（ONSemi）

技术标准参数：MOSFET N-CH 60V T6 8DFN

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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