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规格参数
制造商产品型号：NTLJS2103PTBG制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）描述：MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Cool零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：12V25°C时电流-连续漏极(Id)：3.5A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.2V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：40 毫欧 @ 3A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15nC @ 4.5VVgs（最大值）：±8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1157pF @ 6VFET功能：-功率耗散（最大值）：700mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：6-WDFN（2x2）NTLJS2103PTBG，安森美（ON）产品一站式供应商。
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