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规格参数
制造商产品型号:NTLJS17D0P03P8ZTAG制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)描述:MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:有源FET类型:P 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):7A(Ta)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):11.3 毫欧 @ 10A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):38nC @ 10VVgs(最大值):±25V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1600pF @ 15VFET功能:-功率耗散(最大值):860mW(Ta)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:6-PQFN(2x2)NTLJS17D0P03P8ZTAG,安森美(ON)产品一站式供应商。
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