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零件图片（仅供参考）
NTH4L080N120SC1
规格参数
  • 制造商产品型号：NTH4L080N120SC1
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 描述：TRANS SJT N-CH 1200V 29A TO247-4
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：SiC（碳化硅结晶体管）
  • 漏源电压（Vdss）：1200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：29A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：110 毫欧 @ 20A，20V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 5mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：56nC @ 20V
  • Vgs（最大值）：+25V，-15V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1670pF @ 800V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：170W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-247-4
  • NTH4L080N120SC1，安森美（ON）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：NTH4L080N120SC1
  • 原始制造厂商：安森美（ONSemi）
  • 技术标准参数：TRANS SJT N-CH 1200V 29A TO247-4
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询NTH4L080N120SC1的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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