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规格参数
制造商产品型号：NTD3055L104-1G制造商：ON Semiconductor描述：MOSFET N-CH 60V 12A IPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：104 毫欧 @ 6A，5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 5VVgs（最大值）：±15V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：440pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.5W（Ta），48W（Tj）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：I-PAKNTD3055L104-1G，安森美（ON）产品一站式供应商。
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