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规格参数
制造商产品型号：NTB60N06LT4制造商：ON Semiconductor描述：MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：60A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：16 毫欧 @ 30A，5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：65nC @ 5VVgs（最大值）：±15V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3075pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.4W（Ta），150W（Tj）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：D2PAKNTB60N06LT4，安森美（ON）产品一站式供应商。
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