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规格参数
制造商产品型号:NSVB143TPDXV6T1G制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563系列:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置零件状态:停产晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)电流-集电极(Ic)(最大值):100mA电压-集射极击穿(最大值):50V电阻器-基极(R1):4.7 千欧电阻器-发射极(R2):-不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):160 @ 5mA,10V不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值):250mV @ 300A,10mA电流-集电极截止(最大值):500nA频率-跃迁:-功率-最大值:357mW安装类型:表面贴装型封装:SOT-563,SOT-666NSVB143TPDXV6T1G,安森美(ON)产品一站式供应商。
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