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NSS40300DDR2G 零件图片(仅供参考)

NSS40300DDR2G
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NSS40300DDR2G 规格参数

  • 型号:NSS40300DDR2G
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
  • 描述:TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:2 PNP(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):40V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):170mV @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):180 @ 1A,2V
  • 功率 - 最大值:653mW
  • 频率 - 跃迁:100MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • NSS40300DDR2G,ONSEMI(安森美,ON)产品一站式供应商。
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NSS40300DDR2G 基本参数:

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