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NSBA115TDP6T5G 零件图片（仅供参考）

NSBA115TDP6T5G
ONSEMI 订单到达，马上发货

NSBA115TDP6T5G 规格参数

  • 型号:NSBA115TDP6T5G
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:SOT-963
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列，预偏置
  • 描述:TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V
  • 电阻器 - 基极 (R1):100 千欧
  • 电阻器 - 发射极 (R2):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:160 @ 5mA，10V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:250mV @ 5mA，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA
  • 频率 - 跃迁:-
  • 功率 - 最大值:408mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-963
  • 供应商器件封装:SOT-963
  • NSBA115TDP6T5G，ONSEMI（安森美，ON）产品一站式供应商。
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NSBA115TDP6T5G 基本参数：

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