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NGTD14T65F2WP 零件图片（仅供参考）

NGTD14T65F2WP
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NGTD14T65F2WP 规格参数

  • 制造商产品型号：NGTD14T65F2WP
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：-
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：120A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，35A
  • 功率-最大值：-
  • 开关能量：-
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：-
  • 25°C时Td（开/关）值：-
  • 测试条件：-
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：模具
  • NGTD14T65F2WP，ONSEMI（安森美，ON）产品一站式供应商。
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NGTD14T65F2WP 基本参数：

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