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零件图片（仅供参考）
NGTB03N60R2DT4G
规格参数
  • 制造商产品型号：NGTB03N60R2DT4G
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：IGBT 9A 600V DPAK
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：9A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：12A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，3A
  • 功率-最大值：49W
  • 开关能量：50J（开），27J（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：17nC
  • 25°C时Td（开/关）值：27ns/59ns
  • 测试条件：300V，3A，30 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：65ns
  • 工作温度：175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
  • NGTB03N60R2DT4G，安森美（ON）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：NGTB03N60R2DT4G
  • 原始制造厂商：安森美（ONSemi）
  • 技术标准参数：IGBT 9A 600V DPAK
  • 产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处查询NGTB03N60R2DT4G的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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