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规格参数
ON安森美半导体完整型号:NGD8201ANT4G制造厂家名称:ON Semiconductor描述:IGBT 440V 20A 125W DPAK系列:-IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):440V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20ACurrent - Collector Pulsed (Icm):50A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):1.9V @ 4.5V,20A功率 - 最大值:125WSwitching Energy:-输入类型:逻辑Gate Charge:-25°C 时 Td(开/关)值:-/5μsTest Condition:300V,9A,1 千欧,5V反向恢复时间 (trr):-产品封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63安装类型:表面贴装供应商器件封装:DPAK-3NGD8201ANT4G,安森美(ON)产品一站式供应商。
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