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NFAM5812SCBUT 零件图片（仅供参考）

NFAM5812SCBUT
ONSEMI 订单到达，马上发货

NFAM5812SCBUT 规格参数

  • 型号:NFAM5812SCBUT
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:39-MINI DIP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:SIC
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 技术:碳化硅（SiC）
  • 配置:6 N 沟道（三相逆变器）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
  • 功率 - 最大值:-
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:39-PowerDIP 模块（1.413，35.90mm），30 引线
  • 供应商器件封装:39-MINI DIP
  • NFAM5812SCBUT，ONSEMI（安森美，ON）产品一站式供应商。
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NFAM5812SCBUT 基本参数：

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