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规格参数
制造商产品型号：NDB5060L制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）描述：MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：26A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：35 毫欧 @ 13A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：24nC @ 5VVgs（最大值）：±16V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：840pF @ 30VFET功能：-功率耗散（最大值）：68W（Tc）工作温度：-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：DPAK（TO-263AB）NDB5060L，安森美（ON）产品一站式供应商。
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