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NCV51152BADR2G 零件图片（仅供参考）

NCV51152BADR2G
ONSEMI 订单到达，马上发货

NCV51152BADR2G 规格参数

  • 型号:NCV51152BADR2G
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
  • 描述:ISOLATED SINGLE CHANNEL GATE DRI
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:容性耦合
  • 通道数:1
  • 电压 - 隔离:3750Vrms
  • 共模瞬变抗扰度（最小值）:200kV/s
  • 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:55ns，55ns
  • 脉宽失真（最大）:5ns
  • 上升/下降时间（典型值）:12ns，8.3ns
  • 电流 - 输出高、低:4.5A，9A
  • 电流 - 峰值输出:4.5A，9A
  • 电压 - 正向 (Vf)（典型值）:-
  • 电流 - DC 正向 (If)（最大值）:-
  • 电压 -输出供电:9.5V ~ 30V
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 认证机构:CQC，UL，VDE
  • NCV51152BADR2G，ONSEMI（安森美，ON）产品一站式供应商。
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NCV51152BADR2G 基本参数：

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