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零件图片（仅供参考）
MCH5837-TL-E
规格参数
  • 制造商产品型号: MCH5837-TL-E
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 20V 2A MCPH5
  • 系列: -
  • FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能: 二极管（隔离式），逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）: 20V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2A（Ta）
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 145 毫欧 @ 1A，4V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 1.8nC @ 4V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 115pF @ 10V
  • 功率 - 最大值: 800mW
  • 安装类型: 表面贴装
  • 产品封装: 6-SMD（5引线），扁引线
  • 供应商器件封装: 5-MCPH
  • MCH5837-TL-E，安森美（ON）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：MCH5837-TL-E
  • 原始制造厂商：安森美（ONSemi）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 20V 2A MCPH5
  • 产品应用分类：FET - 单
  • 点击此处查询MCH5837-TL-E的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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