IMD10AMT1G（安森美，晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置，封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：IMD10AMT1G

制造商：ON Semiconductor

描述：TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R

系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

零件状态：有源

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流-集电极(Ic)（最大值）：500mA

电压-集射极击穿（最大值）：50V

电阻器-基极(R1)：13 千欧，130 欧姆

电阻器-发射极(R2)：10 千欧

不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V / 68 @ 100mA，5V

不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 1mA，10mA

电流-集电极截止（最大值）：500nA

频率-跃迁：-

功率-最大值：285mW

安装类型：表面贴装型

封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

IMD10AMT1G，安森美（ON）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：IMD10AMT1G

原始制造厂商：安森美（ONSemi）

技术标准参数：TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R

产品应用分类：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

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