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规格参数
制造商产品型号:HGTP12N60A4D制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)描述:IGBT 600V 54A TO220-3系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:最後IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):54A电流-集电极脉冲(Icm):96A不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,12A功率-最大值:167W开关能量:55J(开),50J(关)输入类型:标准栅极电荷:78nC25°C时Td(开/关)值:17ns/96ns测试条件:390V,12A,10 欧姆,15V反向恢复时间(trr):30ns工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-220-3HGTP12N60A4D,安森美(ON)产品一站式供应商。
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