HGT1S20N60A4S9A（安森美，晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-263AB）

专注安森美（ON）产品销售十多年，服务全国数百家制造企业及科研院校，只为成为您所值得信赖的安森美供应商！

安森美代理商全球库存查询及产品技术资料下载

我们为全球各个行业提供安森美 HGT1S20N60A4S9A及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：HGT1S20N60A4S9A

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：IGBT 600V 70A 290W TO263AB

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：停产

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：600V

电流-集电极(Ic)（最大值）：70A

电流-集电极脉冲(Icm)：280A

不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，20A

功率-最大值：290W

开关能量：105J（开），150J（关）

输入类型：标准

栅极电荷：142nC

25°C时Td（开/关）值：15ns/73ns

测试条件：390V，20A，3 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：TO-263-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-263AB

HGT1S20N60A4S9A，安森美（ON）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：HGT1S20N60A4S9A

原始制造厂商：安森美（ONSemi）

技术标准参数：IGBT 600V 70A 290W TO263AB

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

点击此处查询HGT1S20N60A4S9A的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

全球现货资源整合，最快当日出货，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求！

安森美（ON）被热门搜索和购买的相关器件型号

FQD10N20TF

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

FJNS3210RTA

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

NCP3121QPBCKGEVB

评估板 - DC-DC 与 AC-DC（离线）SMPS

NTJS3157NT4G

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

CS8182YDPS5G

电源管理IC - 稳压器 - 线性

MC74HCT541ADWR2G

逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器

ON安森美半导体全球授权代理商现货库存实时更新中，欢迎询价

安森美公司是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商，ON产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件

安森美代理商现货库存处理专家 - 安森美（ON）全系列产品订货 - 安森美公司实时全球现货库存查询