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零件图片（仅供参考）
HGT1S10N120BNST
规格参数
  • 制造商产品型号：HGT1S10N120BNST
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 描述：IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：NPT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：35A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：80A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，10A
  • 功率-最大值：298W
  • 开关能量：320μJ（开），800μJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：100nC
  • 25°C时Td（开/关）值：23ns/165ns
  • 测试条件：960V，10A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
  • HGT1S10N120BNST，安森美（ON）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：HGT1S10N120BNST
  • 原始制造厂商：安森美（ONSemi）
  • 技术标准参数：IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
  • 产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处查询HGT1S10N120BNST的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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