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FQU10N20TU 零件图片（仅供参考）

FQU10N20TU
ONSEMI 订单到达，马上发货

FQU10N20TU 规格参数

  • 制造商产品型号：FQU10N20TU
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：QFET
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：7.6A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：360 毫欧 @ 3.8A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：670pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），51W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：I-PAK
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FQU10N20TU 基本参数：

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