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FQPF10N20C 零件图片(仅供参考)

FQPF10N20C
ONSEMI 订单到达,马上发货

FQPF10N20C 规格参数

  • 型号:FQPF10N20C
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:TO-220F-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220F
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):360 毫欧 @ 4.75A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):26 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):510 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):38W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220F-3
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
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FQPF10N20C 基本参数:

  • 电子零件型号:FQPF10N20C
  • 原始制造厂商:ONSEMI(安森美半导体)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220F
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询FQPF10N20C的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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