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零件图片（仅供参考）
FQP15P12
规格参数
  • 制造商产品型号：FQP15P12
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET P-CH 120V 15A TO220-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：QFET
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：120V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：200 毫欧 @ 7.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：38nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1100pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：100W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-220-3
  • FQP15P12，安森美（ON）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：FQP15P12
  • 原始制造厂商：安森美（ONSemi）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 120V 15A TO220-3
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询FQP15P12的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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