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FQI10N20CTU 零件图片(仅供参考)

FQI10N20CTU
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FQI10N20CTU 规格参数

  • 制造商产品型号:FQI10N20CTU
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:QFET
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):9.5A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):360 毫欧 @ 4.75A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):26nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):510pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):72W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:I2PAK(TO-262)
  • FQI10N20CTU,ONSEMI(安森美,ON)产品一站式供应商。
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FQI10N20CTU 基本参数:

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