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规格参数
制造商产品型号：FQB44N10TM制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）描述：MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：QFET零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：43.5A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：39 毫欧 @ 21.75A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：62nC @ 10VVgs（最大值）：±25V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1800pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.75W（Ta），146W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：DPAK（TO-263AB）FQB44N10TM，安森美（ON）产品一站式供应商。
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