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FQB34P10TM-F085P 零件图片（仅供参考）

FQB34P10TM-F085P
ONSEMI 订单到达，马上发货

FQB34P10TM-F085P 规格参数

  • 制造商产品型号：FQB34P10TM-F085P
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：33.5A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 16.75A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：110nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2910pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.75W（Ta），155W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：DPAK（TO-263）
  • FQB34P10TM-F085P，ONSEMI（安森美，ON）产品一站式供应商。
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FQB34P10TM-F085P 基本参数：

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