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FQA7N80C_F109 零件图片（仅供参考）

FQA7N80C_F109
ONSEMI 订单到达，马上发货

FQA7N80C_F109 规格参数

  • 制造商产品型号：FQA7N80C_F109
  • 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
  • 系列：QFET
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：800V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.9 欧姆 @ 3.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：35nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1680pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：198W
  • 安装类型：通孔
  • 产品封装：TO-3P-3，SC-65-3
  • 供应商器件封装：TO-3PN
  • FQA7N80C_F109，ONSEMI（安森美，ON）产品一站式供应商。
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FQA7N80C_F109 基本参数：

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