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规格参数
制造商产品型号:FGL60N100BNTDTU制造商:ON Semiconductor描述:IGBT 1000V 60A 180W TO264系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:不適用於新設計IGBT类型:NPT 和沟道电压-集射极击穿(最大值):1000V电流-集电极(Ic)(最大值):60A电流-集电极脉冲(Icm):120A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,60A功率-最大值:180W开关能量:-输入类型:标准栅极电荷:275nC25°C时Td(开/关)值:140ns/630ns测试条件:600V,60A,51 欧姆,15V反向恢复时间(trr):1.2μs工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-264-3,TO-264AAFGL60N100BNTDTU,安森美(ON)产品一站式供应商。
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