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FGB30N6S2DT 零件图片（仅供参考）

FGB30N6S2DT
ONSEMI 订单到达，马上发货

FGB30N6S2DT 规格参数

  • 制造商产品型号：FGB30N6S2DT
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：IGBT 600V 45A 167W TO263AB
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：45A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：108A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，12A
  • 功率-最大值：167W
  • 开关能量：55J（开），100J（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：23nC
  • 25°C时Td（开/关）值：6ns/40ns
  • 测试条件：390V，12A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：46ns
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-263-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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FGB30N6S2DT 基本参数：

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