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FGB20N6S2D 零件图片（仅供参考）

FGB20N6S2D
ONSEMI 订单到达，马上发货

FGB20N6S2D 规格参数

  • 制造商产品型号：FGB20N6S2D
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：IGBT 600V 28A 125W TO263AB
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：28A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：40A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，7A
  • 功率-最大值：125W
  • 开关能量：25J（开），58J（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：30nC
  • 25°C时Td（开/关）值：7.7ns/87ns
  • 测试条件：390V，7A，25 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：31ns
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-263-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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FGB20N6S2D 基本参数：

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