FGA20S120M（安森美，晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-3P-3，SC-65-3）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：FGA20S120M

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 1200V 40A 348W TO3PN

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：停产

IGBT类型：沟槽型场截止

电压-集射极击穿（最大值）：1200V

电流-集电极(Ic)（最大值）：40A

电流-集电极脉冲(Icm)：60A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.85V @ 15V，20A

功率-最大值：348W

开关能量：-

输入类型：标准

栅极电荷：208nC

25°C时Td（开/关）值：-

测试条件：-

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-3P-3，SC-65-3

FGA20S120M，安森美（ON）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：FGA20S120M

原始制造厂商：安森美（ONSemi）

技术标准参数：IGBT 1200V 40A 348W TO3PN

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

点击此处查询FGA20S120M的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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