FDY2000PZ（安森美，晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SOT-563，SOT-666）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：FDY2000PZ

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：MOSFET 2P-CH 20V 350MA SOT563F

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：PowerTrench

零件状态：停产

FET类型：2 个 P 沟道（双）

FET功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

25°C时电流-连续漏极(Id)：350mA

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250A

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：1.4nC @ 4.5V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：100pF @ 10V

功率-最大值：446mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：SOT-563，SOT-666

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基本参数：

电子零件型号：FDY2000PZ

原始制造厂商：安森美（ONSemi）

技术标准参数：MOSFET 2P-CH 20V 350MA SOT563F

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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