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规格参数
制造商产品型号：FDMS4D0N12C制造商：ON Semiconductor描述：MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：PowerTrench?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：120V25°C时电流-连续漏极(Id)：18.5A（Ta），114A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4 毫欧 @ 67A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 370A不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：82nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6460pF @ 60VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.7W（Ta），106W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-PQFN（5x6）FDMS4D0N12C，安森美（ON）产品一站式供应商。
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