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规格参数
制造商产品型号：FDMS001N025DSD制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）描述：MOSFET 2N-CH 25V 8PQFN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：PowerTrench零件状态：有源FET类型：2 N 沟道（双）非对称型FET功能：标准漏源电压（Vdss）：25V25°C时电流-连续漏极(Id)：19A（Ta），69A（Tc），38A（Ta），165A（Tc）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.25 毫欧 @ 19A，10V，920Ohm @ 38A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 320A，3V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：30nC，104nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1370pF，5105pF @ 13V功率-最大值：2.1W（Ta），26W（Tc），2.3W（Ta），42W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerWDFNFDMS001N025DSD，安森美（ON）产品一站式供应商。
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