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零件图片（仅供参考）
FDMD8430
规格参数
  • 制造商产品型号：FDMD8430
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：FET ENGR DEV-NOT REL
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：PowerTrench
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 N 沟道（双）共源
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：28A（Ta），95A（Tc）
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.12 毫欧 @ 28A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：90nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5035pF @ 15V
  • 功率-最大值：2.1W（Ta），29W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-PowerWDFN
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    基本参数：
  • 电子零件型号：FDMD8430
  • 原始制造厂商：安森美（ONSemi）
  • 技术标准参数：FET ENGR DEV-NOT REL
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询FDMD8430的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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